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    产品使用

    MOCVD原理:

    MOCVD因此III组、II族元素的无机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源质料,以热剖析反响方法在衬底上举行气相内涵,生长种种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶质料。通常MOCVD体系中的晶体生长都是在常压或高压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反响室中举行,衬底温度为500-1200℃,用射频感到加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2经过温度可控的液体源鼓泡携带金属无机物到生长区。


    MOCVD好处:

    - 实用范畴普遍,简直可以生长一切化合物及合金半导体;

    - 十分合适于生长种种异质布局质料;

    - 可以生长超薄内涵层,并能取得很陡的界面过渡;

    - 生长易于控制;

    - 可以生长纯度很高的质料;

    - 内涵层大面积匀称性精良;

    - 可以举行大范围消费。

    上一个:蓝宝石长晶炉 下一个:离子注入使用

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